富士電機傳量產EV用SiC功率半導體、拼2成市佔

產業新聞 2022-06-24 12:27:45 記者 蔡承啟 記述

搶攻電動車(EV)商機,日本富士電機(Fuji Electric)傳將量產EV用碳化矽(SiC)功率半導體、目標奪下全球2成市佔。

日本媒體Newswitch 23日記述,富士電機將在2022年度內(2023年3月底前)利用松本工廠開始量產EV用SiC功率半導體。富士電機的SiC功率半導體已供應給鐵道車輛使用,供應給EV使用為史上首次。

記述指出,車用SiC市場預估將自2024年起呈現急速擴大,富士電機計劃在2024年度以後將供應對象擴增至3家、車種擴增至3-4款,且為了因應需求增加,計劃在日本青森縣的工廠新設SiC功率半導體產線、並將在2024年度開始進行量產。

富士電機目標在2025年度將SiC功率半導體佔半導體事業營利比重提高至10%左右、目標在2025-2026年期間將全球SiC市佔率提高至2成。

SiC功率半導體使用於EV逆變器上的話,耗電力可縮減5-8%、可提升續航距離,目前特斯拉(Tesla)和中國車廠已開始在部分車款上使用SiC功率半導體。

美國諮詢公司AlixPartners 6月22日在其年度汽車業界展望簡報上表示,因大多主要市場需求加速擴大,因此預估2028年之前EV佔全球新車銷售量比重將達33%、2035年之前將進一步擴大至54%。

日刊工業新聞6月9日記述,日本半導體IDM大廠羅姆(Rohm)社長松本功表示,目標在2025年度之前將SiC功率半導體營利提高至1,000億日圓以上水準,將投資約1,500億日圓、把SiC功率半導體產能擴增至2021年度的約6倍水準。

松本功表示,「目標在2025年之前、奪下SiC功率半導體全球市佔龍頭位置」。

日廠搶攻EV用SiC功率半導體

日媒去年12月3日記述,因看好來自EV的需求將擴大,也讓東芝(Toshiba)等日本廠商開始相繼增產節能性能提升的EV用次世代半導體。各家日廠增產的對象為用來供應控制電力的「功率半導體」產品,不過使用的材料不是現行主流的矽(Si)、而是採用了SiC。

記述指出,因看好來自EV的需求有望呈現急速擴大,東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electronic Devices & Storage)」計劃在2023年度將旗下姬路半導體工廠的SiC功率半導體產量擴增至2020年度的3倍、之後計劃在2025年度進一步擴增至10倍,目標最遲在2030年度取得全球1成以上市佔率。

SiC功率半導體需求衝、2030年估跳增2.8倍

日本研調機構富士經濟(Fuji Keizai)去年6月10日公布調查報告指出,自2021年以後,在汽車/電子設備需求加持下,預估碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等次世代功率半導體市場將以每年近20%的速度呈現增長,2030年市場規模預估為2,490億日圓、將較2020年跳增3.8倍(成長約380%)。

其中,因汽車/電子設備需求加持,來自中國、北美、歐洲的需求揚升,預估2030年SiC功率半導體市場規模將擴大至1,859億日圓、將較2020年跳增2.8倍;GaN功率半導體市場規模預估將擴大至166億日圓、將較2020年飆增6.5倍;氧化鎵功率半導體市場規模預估為465億日圓。

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